1. 전공정기술 삼성전자는 10nm 공정까지 TSMC와 대등한 전공정 기술을 확보했었다. 다만, 7nm 공정에서 EUV 적용을 선택한 삼성전자는 EUV 없이 개발한 TSMC보다 늦었다. ASML의 EUV 장비 개발 및 공급 시점이 생각보다 늦어졌기 때문이다. 그러나 5nm 공정부터 삼성전자가 TSMC와 거의 대등한 시점에 양산을 시작했다. 또한 최근에는 갤럭시S22에 탑재될 AP를 4nm 공정으로 제작하고 있다. 반도체 핵심 소자인 Transistor를 구현할때, Foundry 전공정에 요구되는 것은 처리 속도를 증가시키고, 소비 전력을 감소시키는 것이다. Transistor의 선폭이 좁아지면, 누설전류(Leakage Current)가 발생하여 Short Channel Effect가 발생한다. 누설 전류..
