반도체 소부장 정리 및 투자전략
1. 한국 소부장의 매력 DRAM, NAND, 비메모리 모두 공정난이도 급상승 전공정 기술 개선이 어려워지고, 앞으로 더 어려워질 전망이다. 인텔이 주장해온 무어의 법칙은 이미 2010년 초반부터 깨졌다. DRAM은 Capacitor의 A/R(Aspect Ratio, 종횡비) 때문에 첨단 공정 도입에 따른 원개 개선율이 확연하게 둔화되었다. Capacitor의 종횡비 문제는 EUV로 해결할 수 없다. 종횡비가 높아질수록 Capacitor의 형성이 어려워지고, 형성 이후에도 쓰러질 확률인 높아진다. Capacitor의 종횡비는 기하급수적으로 상승하고 있으며, DRAM 공정난이도는 Capacitor의 종횡비에 비례한다. 실제로 DRAM 업체들은 1anm 전환 과정과 1bnm 개발 과정에서 큰 어려..